2010年

“Advanced Micro-Polycrystalline Silicon Films Formed by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing”,

Takashi Noguchi, Yi Chen, Tomoyuki Miyahira, Jean de Dieu Mugiraneza, Yoshiaki Ogino, Yasuhiro Iida, Eiji, Jap. J. Appl. Phys, p.03CA10-(1-3), 2010.

“Effective Annealing and Crystallization of Si Film for Advanced TFT System”,

T. Noguchi, J. of Information Display, 11, pp.12-16, 2010.

“Structural Characterization of Sputtered Si Thin Films after RTA for AMOLED”,

J. D. Mugiraneza, T. Miyahira, A. Sakamoto, Y. Chen, T. Okada, T. Noguchi, and T. Itoh, Jap. J. Appl. Phys., 121302-1, 2010.

“Opto-Thermal Analysis of Blue-Multi-Laser-Diode Annealing (BLDA)”,

K. Shirai, T. Noguchi, Y. Ogino, E. Sahota, IEICE Trans. Electron, Vol. E93-C, 10, 1499, 2010.

“Opto-Thermal Analysis of Blue-Multi-Laser-Diode Annealing (BLDA)”,

K. Shirai, T. Noguchi, Y. Ogino, E. Sahota, ITC’10, 3A.3, p.33, 2010.

“RTA Effect on Si Film Sputtered on Thermally Durable Glass Substrate”,

J.D. Mugiraneza, T.Miyahira, A. Sakamoto, Y. Chen, T. Okada, T. Noguchi and T. Itoh, Proc. of 6th Intl. Conf. of TFT, St1, p.254, 2010.

“Simulation of dependency of photo current on intrinsic length in a-Si and c-Si thin film PIN photo sensor”, Sakamoto, J. D. Mugiraneza, T. Noguchi, T. Ohach, Proc. of 6th Intl. Conf. of TFT, P.16, p.170, 2010.

“Activation behavior for doped Si films after laser or furnace annealing”,

Noguchi, T. Suzuki, Proc. of AWAD (IEICE), 110, p149-153, 2010.

“Thermal durability of poly-Si films on highly engineered glass for RTA process enabling advanced TFTs”,

T. Itoh , J.D. Mugiraneza, T. Miyahira, A. Sakamoto, Y. Chen, T. Okada, T. Noguchi, Proc. of SID’10 (The society for information displays: USA), 10,2010.

“Dependence of photo-current of Si PIN diodes on intrinsic length and on thickness od Si film”,

Sakamoto, J.D. Mugiraneza, T. Noguchi, T. Ohachi, Proc. of SID’10 (The society for information displays: USA), 10, p.219-222, 2010.

“Crystallization of sputtered Si films by blue laser diode annealing (BLDA) for photo-sensor application”,

Jean de Dieu Mugiraneza, K. Shirai, T. Suzuki, T. Okada, T. Noguchi, H. Matsushima, T. Hashimoto, Y., Proc. of 17th IDW, 2010.

“Dependence of Poly-Crystallization on Scanning Velocity of Blue-Multi-Laser-Diode Annealing (BLDA)”,

K. Shirai, J.D. Mugiraneza, T. Suzuki, T. Okada, T. Noguchi, T. Matsushima, Y. Ogino, E. Sahota, Proc. of IDW ’10, 10, 2010.

“Influence of Grain Size on Gate Voltage Swing and ThresholdVoltage of Poly-Si Thin Film Transistors”,

F. Oshiro, A. Sakamoto, T. Noguchi, T. Ohachi, G. Y. Moo, H. S. Choi, Proc. of IDW ’10, 10, 2010.

“Lowering Resistance of Heavily Boron-Doped Si Films by 2-Step Rapid Thermal Annealing”,

T. MIYAHIRA, T. SUZUKI, T. NOGUCHI, Proc. of ITC, P.8, p.142, 2010.

“ブルーレーザアニール法によるSi薄膜の結晶化の熱解析”,

白井克弥，岡田竜弥，野口　隆，荻野義明，佐保田英司, 第５７回応用物理学会関係連合講演会, 18a-D-6, p.13, 2010.

“リモート水素プラズマ処理における石英基板表面温度の非接触測定”

筒井 啓喜, 岡田 竜弥, 東 清一郎, 広重 康夫, 松本 和也, 宮崎 誠一, 野口 隆, 第57 回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集（2010 春　東海大学）, 20a-ZB-2, p.08, 2010.

“RTA 法によるB ドープSi 薄膜の電気的活性化と結晶性”

宮平知幸， 鈴木俊治, ○野口隆, 第57 回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集（2010 春　東海大学）, 18p-D-3, p.13, 2010.

“ブルーレーザアニール法によるSi 薄膜の結晶化の走査速度依存性”,

白井克弥，ジョン　デュムジラネザ，鈴木俊治，岡田竜弥，野口　隆，松島英紀，橋本隆夫，荻野義明，佐保田英司, 第71回応用物理学会学術講演会, 15p-ZD-12, p.13, 2010.

“ブルーレーザアニールしたスパッタSi膜の特性評価”,

ジョン　デュムジラネザ, 白井克弥，鈴木俊治，岡田竜弥，野口　隆，松島英紀，橋本隆夫，荻野義明，佐保田英司, 第71回応用物理学会学術講演会, 15p-ZD-10, p.13, 2010.

“ブルーレーザアニール法を用いたSi薄膜の結晶化における膜厚効果”,

岡田竜弥, ジョン　デュムジラネザ，白井　克弥, 鈴木俊治, 野口　隆，松島英紀，橋本隆夫，荻野義明，佐保田英司, 第71回応用物理学会学術講演会, 15p-ZD-11, p.13, 2010.

“BLDAによるスパッタSi薄膜の低抵抗化”,

野口　隆，ジョン　デュムジラネザ，岡田竜弥，白井克弥, 鈴木俊治，松島英紀，橋本隆夫，荻野義明，佐保田英司, 第71回応用物理学会学術講演会, 15p-ZD-13, p.13, 2010.

“a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション”,

坂本明典、野口隆、大鉢忠、大城文明、ジョンデディウムジラネザ, 平成22年度4月電子情報通信学会九州支部研究会, 2010.

“Poly-Si TFTにおけるグレインサイズのS値としきい値に対する影響”,

大城文明　坂本明典　野口隆（琉球大）　大鉢忠（同志社）, 電子情報通信学会　研究会　沖縄県, 2010.

“Si薄膜素子構造と特性に関する研究（ＴＦＴと太陽光発電素子）”,

野口　隆、大城　文明、坂本　明典、陳　訳、ジャンディユムギラネーザ、白井　克弥、大鉢　忠, 同志社大学界面現象研究センター2009年度研究報告書,100-106.

“電子情報通信学会九州支部研究会”,