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Research Achievements

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2007

Journal Papers

“Reliability Analysis of Ultra Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors”
H. Ueno, Y. Sugawara, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka, T. Fuyuki, J.S. Jung, K.B. Park, J.M. Kim, J.Y. Kwon, T. Noguchi,
Jap. J. Appl. Phys., 46, p. 1303-1307, 2007.

“Fabrication of Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors in Array Patterns by Field-Aided Lateral Crystallization”
H.C. Kim, C.J. Park, T.S. Han, H.P. Jeon, Y.B. Kim, T. Noguchi, D.K. Choi,
Jap.J.Appl.Phys., 46, p. 1258-1262, 2007.

International and Domestic Conferences

International Conferences

“Effective Dopant Activation in Si film using ELA for High Performance TFT”
T. Noguchi,
Technical Digest of AM-FPD’07, p. 57-60, 2007(Hyogo, Nihon).

“Attractive Crystallization of Amorphous Si Film for New Si TFT”
T. Noguchi,
Proc. LPSD’07, 2007.

“Drastic Activation of Dopant in Si film using ELA for High-Performance TFT”
T. Noguchi, K. Kawai, J. Kakazu, E. Kinjo, R. Nakamura, T. Miyahira, T. Suzuki, M. Sato,
Proc. IDW (International Display Workshop), AMDp-25, 1885-1888, 2007(Sapporo, Nihon).

“Electrical Properties of Poly-Ge on Glass Substrate Grown by Two-Step Solid-Phase Crystallization”
K. Toko, I. Nakao, T. Sadoh, T. Noguchi, and M. Miyao,
Proc. of ISTDM, 53, p.1159-1164, 2007.

“Activation of Dopant in Si film using ELA for Advanced Si TFT”
T. Noguchi,
Proc. of ITC, 2007.

“Efficient Activation of Dopant in Poly-Si film using Excimer Laser Annealing”
T. Noguchi,
Proc. of AWAD'07, p. 238-241, 2007.

“Effective Activation of Dopant in Si film using ELA for Advanced Si TFT”
T. Noguchi,
The Proceedings of the 3rd International TFT Conference, 5b.4, p.112, ITC’07, 2007.

Domestic Conferences

“Poly-Si TFT最近の展開と今後、”超低温プロセスによるプラスチック上ポリSi TFT”
野口隆,
第68回応用物理学会、シンポジウム, 5p-K-10, p.10, 2007.

“ELAによるSi薄膜中のBoronの顕著な電気的活性化”
野口隆,
第68回応用物理学会, 5a-P6-3, 2007.

“高濃度Si薄膜中の不純物活性化”
野口隆,
IEICE Technical Report, p. 23-25, 2007.

“ガラス上不純物ドープSi薄膜のアニールによる電気的活性化”
野口隆, 宮平知幸, 川井健司, 鈴木俊治, 佐藤正輝,
電子情報通信学会技術報告, SDM2008-4, p.17, 2007.

“MOS TFTのしきい値特性に及ぼす影響に関しての数値計算”
金城笑子, 嘉数潤, 中村亮, 野口隆, 仙石京三, 大鉢忠,
電気学会、電子情報通信学会合同講演会、(琉球大学), OKI-2007-03, 7, 2007.

“ガラス基板上TFTのための熱処理により薄膜Si電気的活性化”
川井健司, 宮平知幸, 野口隆, 鈴木俊治,
電子情報通信学会合同講演会、(琉球大学), OKI-2007-0４, 11, 2007.

“低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発第Ｖ編 応用 第２章(低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発)”
野口隆,
ジーエムシー出版, 2007.

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