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Research Achievements

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2009

Journal Papers

“Electrical properties of poly-Ge on glass substrate grown by two-step solid-phase crystallization”
Kaoru Toko, Isakane Nakao, Taizoh Sadoh, Takashi Noguchi, Masanobu Miyao,
J. Solid-State Electronics 53 (2009) 1159-1164.

“Electrical Activation of Boron in Si Film Using Excimer Laser Annealing”
T. Noguchi, K. Kawai, T. Miyahira, T. Suzuki, M. Sato,
J. Korean Phys. Soc.,54, p.463, 2009.

“Anomalous Increase in Conductivity of B doped Si Film after Solid Phase Crystallization”
T. Miyahira, K. Kawai, T. Noguchi, T. Suzuki, M. Sato,
Jap. J. Appl. Phys., 48, 03B016-1, 2009.

International and Domestic Conferences

International Conferences

“Development of Homogeneous Laser Power Technology for Thin Film Crystallization”
Y. Ogino, S. Shirasaka, E. Sahota, Y. Chen, T. Miyahira, J.D. Muguraneza and T. Noguchi,
Proc. of 21st. Symposium on Phase Change Optical Information Storage PCOS 2009, pp.45-49, 2009.

“Influence of Grain Size Deviation for Channel Size on Device Parameters of Poly-Si Thin Film Transistor”
K. Shirai, F. Oshiro, T. Noguchi, T. Ohachi,
Proc. of IDW, p.1837, 2009 (Miyazaki, Nihon).

“Characterization of Si films crystallized by RTA for photo-sensor diode”
J. D. Mugiraneza, T. Miyahira, A. Sakamoto, T. Noguchi, C.-P. Chiu, M.-H. Chen, W.-C. Yeh,
Proc. of IDW, AMD5-4, p.709, 2009 (Miyazaki, Nihon).

“Blue Multi-Laser-Diode Annealing(BLDA) Technologies for Poly-Si Films”
Yoshiaki Ogino, Yasuhiro Iida, Eiji Sahota, Motoyasu Terao,
Proc. of IMID'09, P1-132, p. 945-947, 2009(Seoul, Korea).

INVITED“Advanced Poly-Si film obtained by new Blue-Multi-Laser-Diode Annealing (BLDA)”
T. Noguchi, Y. Ogino, M. Terao,
Proc. of ITC'09, 03CA10-(1-3) p.252, 2009.

“Effective annealing for Si film”
T. Noguchi, T. Miyahira, Y. Chen, J. de dieu Mugiraneza,
Proc. of AWAD11, 2009.

“Micro-Poly-Si film Formation by Blue-Multi-Laser-Annealing (BLDA)”
T. Noguchi, Y. Chen, Y. Ogino, Y. Ikeda, E. Sahota and M. Terao,
Proc. of AM-FPD 09, p.203, 2009(Nara, Nihon).

“Improvement of Electrical Characteristics of Poly-Ge by Two-Step Solid-Phase Crystallization”
T. Sadoh, I. Nakao, K. Toko, T. Noguchi, M. Miyao,
Proc. of ITC`09, 13.3, p.318, 2009.

“Electrical properties of poly-Ge on glass substrate grown by two-step”
Kaoru Toko, Isakane Nakao, Taizoh Sadoh, Takashi Noguchi, Masanobu Miyao,
Solid State Electronics, 53, p. 1159-1164, 2009.

“Effective Annealing and Crystallization of Si film”
T. Noguchi,
Proc. of ITC'09, p. 254-257, 2009.

“Blue Multi-Laser-Diode Annealing(BLDA) Technologies for Poly-Si Films”
Y. Ogino, Y. Chen, T. Miyahira, T. Noguchi, J.D. Mugiraneza, Y. Iida, E. Sahota and M. Terao,
Proc. of IMID'09, P1-132, p. 945-947, 2009.

“Effective Annealing and Crystallization of Si film for Advanced TFT System”
Takashi NOGUCHI,
Proc. of IMID'09, P20-3, p. 254, 2009.

“Influence of Grain Size on Gate Voltage Swing and Threshold Voltage of Poly-Si Thin Film Transistors”
F. Oshiro, A. Sakamoto, T. Noguchi, T. Ohachi,
IDW’09, AMDp-11, p.1741, 2009.

Domestic Conferences

“単結晶シリコンと単結晶ゲルマニウムを用いるpin型薄膜太陽電池の検討”
越田雄也、陳訳、野口隆、大鉢忠,
平成21電気学会電子情報通信学会合同講演会（沖縄）,p229, 2009.

“薄膜シリコン太陽電池の構造と製法に関する提案”
陳訳、野口隆、大鉢忠,
平成20年応用物理学会, 31a-A-2, p.1189, 2009.

INVITED“Si薄膜の結晶化とTFT特性構造（イントロダクトリートーク）”
野口隆,
平成20年応用物理学会,30p-TB-2, 2009.

“亜熱帯ビジネスをめざした薄膜太陽電池の研究”
野口隆,
沖縄産学官イノベーション2009,p.29, 2009.

“亜熱帯地域ビジネスをめざした薄膜太陽電池の研究”
陳訳、白井 克弥、野口 隆,
沖縄産学官イノベーションフォーラム2009, 2009.

“a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション”
坂本明典、野口隆、大鉢忠,
平成21電気学会・電子情報通信学会合同講演会, p.225, 2009.

“大学研究室紹介”
琉球大学野口研究室, 野口 隆,
SEAJ Journal 11月号 (2009),p.18-22.

“TFT応用のためのSiの低温製膜と有効な結晶化”
野口隆,
テクノタイムズ社, ディスプレイ, 2009.

“薄膜シリコン太陽電池の構造と製法に関する提案”
陳訳, 野口隆, 大鉢忠,
平成20年応用物理学会, 31a-A-2, p. 1189, 2009.

INVITED“（シンポジウム：レーザー結晶化の新展開）、Si薄膜の結晶化とTFT特性構造（イントロダクトリートーク）”
野口隆,
平成20年応用物理学会, 30p-TB-2, 2009.

“SPC（固相結晶化法）を施したSi膜内におけるボロンの挙動”
宮平知幸, 野口隆, 鈴木俊治, 佐藤正輝,
平成20応用物理学会, 31p-T-4, p.830, 2009.

“ラマン分光測定による高濃度ＢドープＬＴＰS薄膜の評価”
掛村康人, 久保貴志, 小椋厚志, 野口隆, 鈴木俊治,
平成20年応用物理学会, 31p-T-3, p.880, 2009.

“青色半導体レーザアニール法によるＳｉ膜の有効な結晶化”
野口隆, 荻原義明, 飯田康弘, 佐保田栄司,
平成20年応用物理学会, 31a-T-3, p.876, 2009.

“２段熱処理固相成長法による多結晶Ｇｅの高品質形成”
佐道泰三, 中尾勇兼, 都甲薫, 野口隆,
平成20年応用物理学会, 1a-T-3, 2009.

“高性能Si薄膜結晶化素子および製法に関する研究（TFT応用のためのSiの低温成長と有効な結晶化）”
野口隆,
第31回 真空展０９ 併設 真空トピックス 日本真空協会9月研究例会, 2009.

“SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用”
岡田竜弥，東清一郎，牧原克典，広重康夫，宮崎誠一,
電子情報通信学会技術報告, ED2009-201, p.29-33, 2009.

“-p型Si薄膜の結晶化と電気特性-”
野口隆,　宮平知幸,　鈴木俊治,
電子情報通信学会技術研究報告,　SDM2009-6, p.25-28, 2009.

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