Noguchi Laboratory

Research Achievements

2008

Journal Papers

INVITED“Prospective crystallization of amorphous Si films for new Si TFTs”
T. Noguchi,
Phys. stat. soldi, 5. P.3259, 2008.

“Effective Dopant Activation in Silicon Film Using Excimer Laser Annealing for High-Performance Thin Film Transistors”
T. Noguchi,
Jap. J. Appl. Phys., 47, p.1858, 2008.

International and Domestic Conferences

International Conferences

“Low-Temperature Solid Phase Crystallization of a-Ge on Glass Substrate for Advanced Thin-Film Transistor”
T. Sadoh, K. Toko, I. Nakao, T. Noguchi, M. Miyao,
Proc. ITC (International TFT Conference), 9.4, 323-326, 2008.

“Efficient Electrical Activation of Boron in Si film using ELA”
T. Noguchi, K. Kawai, T. Miyahira, T. Suzuki, M. Sato, H. Kamiyama, K. Fukuzato, Y. Suzuki,
Proc. ITC (International TFT Conference), 11.3, p. 363-366, 2008.

“Anomalous Increase in Resistivity of Boron-doped Si film after Solid Phase Crystallization“
T. Miyahira, K. Kawai, T. Noguchi, T. Suzuki, M. Sato,
Tech. Dig. of AMFPD'08, 4.4, p.53, 2008.

“Influence of Trap States Density on the Characteristic of Poly-Si Thin Film Transistors”
K. Sengoku, T. Ohachi, E. Kinjo, J. Kakazu, T. Noguchi,
Proc. ICEE, 0, p.70, 2008.

“Low resistive poly-Si film obtained by excimer laser annealing (ELA) for thin film transistor and pin diode system”
T. Noguchi, T. Miyahira, T. Suzuki, M. Sato,
Proc. ICEE, 0, p.70, 2008.

“Ultra-low resistance of Si film obtained by excimer laser doping for advanced system on panel”
T. Noguchi,
Proc. of CVCE2008, p.55, 2008.

Domestic Conferences

“ELAによるSi薄膜中のBoronの顕著な電気的活性化(2)”
野口隆, 川井健司，宮平知幸，鈴木俊治，佐藤正輝，上山洋志，福里克彦，鈴木康生,
第55回応用物理学会, 29p-G-6, p.898, 2008.

“UV/可視ラマン分光法によるP dope LTPS薄膜の電気伝導度と結晶性の関係評価”
掛村康人，小瀬村大亮，小椋厚志，野口隆,
第55回応用物理学会, 29p-G-16, p.901, 2008.

“ガラス基板上における非晶質Geの低温固相成長”
佐道泰造, 都甲薫,　中尾勇兼,　野口隆,　宮尾正信,
第55回応用物理学会, 27a-G-3, p.880, 2008.

“ガラス上不純物ドープSi薄膜のアニールによる電気的活性化”
野口隆,
電子情報通信学会技術研究報告, SDM2008-4, p.17, 2008.

“青色半導体レーザアニール法によるSi薄膜の有効な結晶化”
野口隆,
3la-T-3, p.876, 2008.

“次世代ＴＦＴに向けたa-Ge/石英の低温固相成長”
中尾勇兼, 都甲薫, 野口隆, 佐道泰造,
電子情報通信学会技術研究報告,SDM2008-2, No.1, p.83, 2008.

“UVラマン分光法によるレーザー結晶化ポリSi薄膜の応力、結晶性評価”
掛村康人, 小瀬村大亮, 小椋厚志, 野口隆,
電子情報通信学会技術報告,SDM2008-6, p.27, 2008.

“UV/可視ラマン分光法によるP dope LTPS 薄膜の電気伝導度と結晶性の関係評価”
掛村康人, 小瀬村大亮, 小椋厚志, 野口隆,
薄膜材料デバイス第5回研究集会, 24, p.145, 2008.

“ポリSi TFTの特性におけるトラップ密度の影響と製法”
仙石京三, 野口隆, 大鉢忠,
平成19年応用物理学会, 3a-CH-9, p.742, 2008.

“（シンポジウム：クロージングリマーク）結晶化法と粒界、電気的特性の関連”
野口隆，
平成19年応用物理学会, 4p-CH-11, p.103, 2008.

“ボロンを注入したSi膜のSPC後の抵抗増加”
宮平知幸, 宮城香奈子, 野口隆,
平成２０電気学会,電子情報通信学会合同講演会, Ok1-2008-39, p.233, 2008.

“薄膜シリコン太陽電池の構造に関する提案”
陳訳, 野口隆, 大鉢忠,
平成20, Ok1-2008-38, p.229, 2008.

“Low resistive Si film obtained by excimer laser annealing (ELA) for thin-film device application”
野口隆, 宮平知幸, 鈴木俊治, 佐藤正輝,
薄膜材料デバイス第５回研究集会, p.1, 2008.