Noguchi Laboratory

Research Achievements

2016

Journal Papers

“Ultra-high carrier mobility InSb film by rapid thermal annealing on glass substrate”,
Charith Jayanada Koswaththage, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Shinichi Taniguchi and Shokichi Yoshitome,
AIP Advances 6, 115303 (2016).

“Excimer laser annealing for low-voltage power MOSFET”,
Yi Chen, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Fulvio Mazzamuto and Karim Huet，
Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, Number 8, 086503-1.

“An Application of Laser Annealing Process in Low-Voltage Power MOSFETs ”,
Yi Chen, T. Okada and T. Noguchi,
IEICE, Vol.E99-C, No.5, pp.516-521, May. 2016.

“Highly Photoconductive Si Film Formed by Blue Laser Diode Annealing for System on Panel”,
C. J. Koswaththage, K. Nakao, T. Okada, T. Noguchi,
IEEE/OSA Journal of Display Technology, Volume 12, Issue 3 (2016) pp.247-251.

“Electrical Characteristics of a-IGZO TFTs with SiO2 Gate Insulator Prepared by RF Sputtering”,
Jin-Kuk Kim, So-Hyun Jeong, Sang-A Oh, Seung-Jae Moon, Kimihiko Imura, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Eui-Jung Yun, and Byung Seong Bae,
Journal of Display Technology, Volume 12, Issue 3 (2016) pp.268-272.

International and Domestic Conferences

International Conferences

“Low-cost low-temperature poly-Si thin film transistor”,
T. Noguchi, and T. Okada,
2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, 2016.

“A high performance low-voltage power MOSFETs realized by laser annealing process”,
Y. Chen, T. Okada, and T. Noguchi,
2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, 2016.

“Effect of Hydrogen Annealing of Si TFTs with Metal Source/Drain using BLDA”,
Taisei Harada, Futa Gakiya, Takuya Ashitomi, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Osamu Nishikata, Atsushi Ota and Kazuya Saito,
Proc. of IDW 16, AMDp2-7L, p.433, 2016 (Fukuoka, Nihon).

“Ultra-low temperature Si TFTs with metal source-drain using ELA for flexible sheet”,
Taisei Harada, Futa Gakiya, Yuya Ishiki,Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Kanji Noda, Akira Suwa and Hiroshi Ikenoue,
Proc. of IDW 16, AMDp2-11L, p.444, 2016 (Fukuoka, Nihon).

“Effect of Low-temperature Annealing of Sputtered SiO2 for Gate Insulator in Poly-Si TFTs on Panel”,
Hikaru Tamashiro, Kimihiko Imura, Tatsuya Okada and Takashi Noguchi,
Proc. of IDW 16, AMDp2-13L, p.448, 2016 (Fukuoka, Nihon).

“Photoelectric Characteristics of Lateral Thin Film Si Photodiode by Metal Electrodes for SoP ”,
Tatsuyuki Higashizako, Charith Jayanada Koswaththage, Kota Nakao, Tatsuya Okada, and Takashi Noguchi,
IMID2016, D52-3.

“PE CVDのSi薄膜の高度な低温結晶化BLDAを使用して脱水素化なし（ブルーレーザーダイオードアニーリング） ”,
Futa Gakiya, Takuya Ashitomi, Taisei Harada, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi (Univ. of the Ryukyus, Japan), Osumu Nishikata, Atsushi Ota, and Kazuya Saito, IMID2016, D52-4.

“Calculation of Temperature Distribution in Si Films on Polyimide during Blue Multi-Laser Diode Annealing ”,
Tatsuya Okada, Yusuke Shizu, and Takashi Noguchi, IMID2016, D68-4.

Domestic Conferences

“スパッタSi膜へのマルチショットELAとメタルソース・ドレイン構造TFT”,
原田大成、我喜屋風太、安次富卓哉、岡田竜弥、野口隆、野田勘治、
電子情報通信学会技術報告,　SDM2016-10, p.39, 2016 (那覇).

“パネル上システムのための青色半導体レーザーアニーリングにより形成された高光伝導性シリコン薄膜”,
コスワッタゲー　チャリット　ジャヤナダ、中尾浩太、岡田竜弥、野口隆、
電子情報通信学会技術報告,　SDM2016-11, p.43, 2016 (那覇).

“ポリシリコンTFTのスパッタSiO₂ゲート絶縁膜への低温アニール効果”,
玉城光、井村公彦、岡田竜弥、野口隆、
電子情報通信学会技術報告,　SDM2016-16, p.67, 2016 (那覇).

“レーザーアニール技術の高性能パワーMOSFETsプロセスへの応用”,
陳訳、岡田竜弥、野口隆、
電子情報通信学会技術報告,　SDM2016-17, p.71, 2016 (那覇).

応用物理学会　秋全国大会シンポジウム　9/14,

“青色半導体レーザアニールを用いたSi 膜の結晶化”,
岡田竜弥、野口隆、
14p-B7-5

応用物理学会　秋全国大会シンポジウム　9/15,

“ＥＬＡ（エキシマレーザアニール）による接合型Ｓｉ太陽電池の表面反射防止膜による特性の向上”,
鈴木 仁, 楊 天熙, 岡田 竜弥, 野口 隆, 河本直哉,
15a-B10-8

“BLDAを照射したSi薄膜の電極形成前後におけるH2アニールの効果”,
東迫 達行, コスワッタゲー チャリット ジャヤナダ, 岡田 竜弥, 野口 隆,
平成28年度 電気学会九州支部沖縄支所講演会, 2016.

“Poly-Si TFT特性の)BLDA(Blue-Multi-Laser-Diode-Annealing)走査方向依存性”,
伊敷 優哉, 我喜屋 風太, 原田 大成, 岡田 竜弥, 野口 隆,
平成28年度 電気学会九州支部沖縄支所講演会, 2016.

“急速熱アニールを行ったGe薄膜の結晶性・電気的特性の評価”,
太田 信長, コスワッタゲー チャリット ジャヤナダ, 東迫 達行, 岡田 竜弥, 野口 隆,
平成28年度 電気学会九州支部沖縄支所講演会, 2016.

雑誌

“青色半導体レーザーによるフレキシブルパネル上Si結晶化薄膜の製法と機能デバイスへの応用”,
岡田竜弥、野口隆、
ケミカルエンジニヤリング,　VOL.61, No.8, p.44, 2016.

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