Noguchi Laboratory

Research Achievements

2015

Journal Papers

“Crystallization of a-Si films with smooth surfaces by using Blue Multi-Laser Diode Annealing”,
Tatsuya Okada, Kouya Sugihara, Satoshi Chinen, Takashi Noguchi
J. of the Korean Physical Society, Vol.66, 8, pp 1265-1269, 2015.

International and Domestic Conferences

International Conferences

“Evaluation of SiO2 Films for the Application to a Flexible Substrate”,
Kimihiko Imura, Tatsuya Okada, Hikaru Tamashiro, Takuya Ashitomi, and Takashi Noguchi,
International Conference on Intelligent Informatics and BioMedical Sciences (ICIIBMS), November 28-30, 2015, Okinawa, Japan, pp.113-114.

“Stable Crystallization of a-Si Film on a Flexible Substrate”,
T. Ashitomi, T. Harada, K. Nakao, C. J. Koswaththage, T. Okada, T. Noguchi, N. Kawamoto, H. Ikenoue, T. Okuyama, A. Suwa, K. Noda
Proc. of IDW 15, FLXp1-7L, p. 1405, 2015 (Otu, Nihon).

“Appearance of p-channel TFT performance with metalsource-drain using BLDA aiming for low-cost CMOS”,
Takuya Ashitomi, Taisei Harada, Kiyoharu Shimoda, Tatsuya Okada, and Takashi Noguchi, Osamu Nishikata, Atsushi Ota and Kazuya Saito
Proc. of IDW 15, AMD7-4, p. 268, 2015 (Otu, Nihon).

Invited talk “New Laser Crystallization for LTPS on Panel”,
Takashi NOGUCHI, Takuya ASHITOMI, Kiyoharu SHIMODA, Kimihiko IMURA, Kota NAKAO, Charith J. KOSWATHTHAGE and Tatsuya OKADA,
Proc. of IMID 15, P121, 29-1, 2015 (Daegu, Korea).

“Increase in Photoconductivity of Silicon Films after BLDA by Back-Reflection Ti Layer for System on Glass”,
Kota Nakao, Charith Jayanada Koswaththage, Tatsuya Okada and Takashi Noguchi,
Proc. of IMID 15, P467, 2-39, 2015 (Daegu, Korea).

“Reduction of leakage current of poly-Si TFTs with metal source/drain by dual gate structure”,
Taisei Harada, Takuya Ashitomi, Kiyoharu Shimoda, Wataru Narisoko, Tatsuya Okada, Takashi Noguch, Osamu Nishikata, Atsushi Ota, Kazuya Saito, Sang-Yun Kim, Jin-Kuk Kim and Byung Seong Bae,
Proc. of IMID 15, P254, 55-5, 2015 (Daegu, Korea).

“Effect of Low Temperature Annealing of Sputtered SiO2 for Gate Insulator in Poly-Si TFTs”,
Hikaru Tamashiro, Kimihiko Imura, Tatsuya Okada and Takashi Noguchi,
Proc. of IMID 15, P252, 55-3, 2015 (Daegu, Korea).

“Remarkable Increase in Conductivity of Phosphorus Doped Si Films by Laser Crystallization”,
T. Noguchi and T. Okada,
Proc. of AWAD 15, 3A-2, p.221, 2015 (Jeju, Korea).

“An Application of Laser Annealing Process in Low-Voltage Power MOSFETs”,
Y. Chen, T. Okada and T. Noguchi,
Proc. of AWAD 15, 7B-4, p.370, 2015 (Jeju, Korea).

“Study on hydrogenation after BLDA in Si TFT with Metal source/drain”,
K. Shimoda, T. Ashitomi, T. Okada, T. Noguchi, O. Nishikata and A. Ota,
Proc. of AM-FPD 15, P-6, p.97, 2015 (Kyoto, Japan).

“Energy Efficiency of Laser on Crystallization Technologies for LTPS”,
T. Itoh, T. Okada, T. Noguchi
Proc. ITC (Rennes, France), p.91

“Highly Photoconductive Si film Formed by Blue-Multi Laser Diode Annealing for System on Panel ”,
C.J. Koswaththage, K. Nakao, T. Okada, T. Noguchi
Proc. ITC (Rennes, France), p.93

“Temperature Analysis of Si Films during Blue Multi-Laser Diode Annealing ”,
T. Okada, S. Kamimura, T. Noguchi
Proc. ITC (Rennes, France), p.95

“Low-Cost LTPS Using Blue Laser Diode Annealing”,
T. Noguchi, K. Shimoda, T. Ashitomi, K. Nakao, C.J. Koswaththage, T. Okada
Proc. ITC (Rennes, France), p.191

Domestic Conferences

“急速熱処理したInSb膜の電気的特性”,
コスワッタゲー チャリット ジャヤナダ，野口 隆, 谷口 慎一, 吉留 省吉,
第63回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2016 東京工業大学 大岡山キャンパス), 21p-H112-13, 12-243.

“スパッタSi 膜へのマルチショットELA とメタルソース・ドレイン構造TFT”,
原田 大成、我喜屋 風太、安次富 卓哉、岡田 竜弥、野口 隆, 野田 勘治、諏訪 明, 池上 浩, 奧山 哲雄,
第63回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2016 東京工業大学 大岡山キャンパス), 20p-S423-7, 11-258.

“低コストの CMOSを目指した金属ソース・ドレイン電極によるpチャネル型 poly Si TFT実現”,
安次富卓哉、原田大成、岡田 竜弥、野口隆, 西方靖, 太田淳,
第63回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2016 東京工業大学 大岡山キャンパス), 20p-S423-8, 11-259.

“レーザーアニール技術の高性能パワー素子プロセスへの応用”,
陳 訳，岡田 竜弥，野口 隆, マッツァムト フルビオ, ヒュエット カリム,
第63回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2016 東京工業大学 大岡山キャンパス), 20p-S423-11, 11-263.

“n+p接合太陽電池 接合太陽電池 接合太陽電池 に対する 水素アニールの最適化”,
楊 天熙，魏 煌，鈴木 仁, 岡田 竜弥，野口 隆, 河本 直哉,
第63回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2016 東京工業大学 大岡山キャンパス), 20p-S423-9, 11-260.

“低コスト化に向けたTFTのメタルソース・ドレイン領域評価”,
我喜屋風太, 原田大成, 安次富卓哉,　岡田竜弥, 野口隆,
電気学会九州支部沖縄支所講演会, OKI-2015-11, p.30, 2015（琉大　西原）.

“熱処理により得られる多結晶Ge薄膜の結晶性の評価”,
小山翔,　C.J. Koswaththage, 中尾浩太,　岡田竜弥, 野口隆,
電気学会九州支部沖縄支所講演会, OKI-2015-12, p.33, 2015（琉大　西原）.

“パネル上フォトセンサに向けたメタル電極による横型薄膜Siフォトダイオードの光電特性”,
東迫達行, C.J. Koswaththage, 中尾浩太,　岡田竜弥, 野口隆,
電気学会九州支部沖縄支所講演会, OKI-2015-13, p.36, 2015（琉大　西原）.

“エキシマレーザアニール(ELA)によるpn 接合太陽電池”,
楊 天熙, 魏 煌, 岡田 竜弥, 野口 隆, 河本 直哉,
応用物理学会九州支部学術講演会，5Ba-12, 2015（琉大　西原）.

“BLDA を用いて作製したTFT の水素アニール温度依存性”,
原田 大成, 安次富　卓哉, 岡田 竜弥, 野口 隆, 西方 靖, 太田 淳, 齋藤 一也,
応用物理学会九州支部学術講演会，5Ea-1, 2015（琉大　西原）.

“Photosensitivity of Ge Film after Furnace Annealing”,
Charith Jayanada Koswaththage , Kota Nakao, Sho Koyama, Tatsuya Okada,Takashi Noguchi,
応用物理学会九州支部学術講演会，5Da-9, 2015（琉大　西原）.

“アニールによるpn接合太陽電池の形成”,
魏煌，楊天煕，新垣喬之，岡田竜弥，野口隆，河本直哉
第76回応用物理学会秋季学術講演会

“RFスパッタ法を用いて室温製膜したSiO2膜のH2アニール効果”,
井村公彦，岡田竜弥，玉城光，野口隆
第76回応用物理学会秋季学術講演会

“レーザーアニールプロセスの高性能パワー素子への応用”,
陳訳，岡田竜弥，野口隆，マッツァムト　フルビオ，ヒュエットカリム
第76回応用物理学会秋季学術講演会

“青色半導体レーザアニール中Si膜の温度分布解析”,
岡田竜弥，神村盛太，野口隆
電子情報通信学会技術研究報告，SDM2015-17，p.53,　2015（石垣）.

“レーザーアニールによる低抵抗結晶化Si薄膜”,
野口隆，岡田竜弥
電子情報通信学会技術研究報告，SDM2015-17，p.57,　2015（石垣）.

“Ne雰囲気スパッタSi膜(500 nm厚)への青色レーザによる結晶化”,
具志堅貴也，若杉智英，岡田竜弥，野口隆, 河本直哉
第62回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2015 東海大学 湘南キャンパス),12a-A18-7, 14-052

“青色半導体レーザアニール中のSi膜内光吸収量解析”,
岡田 竜弥, 神村 盛太, 野口 隆
第62回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2015 東海大学 湘南キャンパス),12a-A29-1,12-176

“脱水素無しのアモルファスSi薄膜に対するBLDA低抵抗化”,
若杉 智英，安次富 卓哉，岡田 竜弥, 野口 隆, 西方 靖, 太田 淳, 井上 和久,山田 一雄
第62回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2015 東海大学 湘南キャンパス),12a-A29-2, 12-177

“パネル上高感度フォトセンサ応用へのBLDAによる多層膜構造Si膜の結晶性向上”,
中尾浩太, コスワッタゲーチャリットジャヤナダ, 若杉智英, 岡田竜弥, 野口隆
第62回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2015 東海大学 湘南キャンパス),12a-A29-8, 12-184

“マイカおよびガラス上の薄膜InSbの熱アニール”,
コスワッタゲーチャリットジャヤナダ，野口隆，谷口慎一, 吉留省吉
第62回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2015 東海大学 湘南キャンパス),13p-D4-11,13-276

“レーザーアニールによる高性能パワー素子のプロセス検討”,
陳 訳，野口 隆, マッツァムト フルビオ, ヒュエット カリム
第62回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (2015 東海大学 湘南キャンパス),14a-A29-7, 12-470

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