Noguchi Laboratory

Research Achievements

2010

Journal Papers

“Evaluation of Heavily Doped Poly‐Si Thin Films Recrystallized by Excimer Laser Annealing Using UV/visible Raman Spectroscopy ”
Takashi Kubo, Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura, Toshiharu Suzuki and Takashi Noguchi,
AIP Conf. Proc. 1267, 1168 (2010).

“Advanced Micro-Polycrystalline Silicon Films Formed by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing”
Takashi Noguchi, Yi Chen, Tomoyuki Miyahira, Jean de Dieu Mugiraneza, Yoshiaki Ogino, Yasuhiro Iida, Eiji,
Jap. J. Appl. Phys, p.03CA10-(1-3), 2010.

“Structural Characterization of Sputtered Si Thin Films after RTA for AMOLED”
J. D. Mugiraneza, T. Miyahira, A. Sakamoto, Y. Chen, T. Okada, T. Noguchi, and T. Itoh,
Jap. J. Appl. Phys., 121302-1, 2010.

INVITED“Effective Annealing and Crystallization of Si Film for Advanced TFT System”
T. Noguchi,
J. of Information Display, 11, pp.12-16, 2010.

“Opto-Thermal Analysis of Blue-Multi-Laser-Diode Annealing (BLDA)”
K. Shirai, T. Noguchi, Y. Ogino, E. Sahota,
IEICE Trans. Electron, Vol. E93-C, 10, 1499, 2010.

“Crystallization Behavior of Sputtered Amorphous Silicon Films by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing”, K. Shirai, J.D. Mugiraneza, T. Suzuki, T. Okada, T. Noguchi, H. Matsumura, T. Hashimoto, Y. Ogino, E. Sahota,
Jap. J. Appl. Phys., 50, 021402(2011).

“Activation behavior for doped Si films after laser or furnace annealing”, T. Noguchi, T. Suzuki,
Proc. of AWAD, p.149-153(2010).

International and Domestic Conferences

International Conferences
“Opto-Thermal Analysis of Blue-Multi-Laser-Diode Annealing (BLDA)”
K. Shirai, T. Noguchi, Y. Ogino, E. Sahota,
ITC’10, 3A.3, p.33, 2010.

“Lowering Resistance of Heavily Boron-Doped Si Films by 2-Step Rapid Thermal Annealing”
T. MIYAHIRA, T. SUZUKI, T. NOGUCHI,
Proc. of ITC, P.8, p.142, 2010.

“Dependenceof photo-current of Si PIN diodes on intrinsic length and on thickness of Si film”
Akinori SAKAMORO, J.D.MUGIRANEZA, Takashi NOGUCHI, Tadashi OHACHI,
Proc. of AM-FPD 10, P.31, p.219, 2010 (Tokyo, Nihon).

“RTA Effect on Si Film Sputtered on Thermally Durable Glass Substrate”
J.D. Mugiraneza, T.Miyahira, A. Sakamoto, Y. Chen, T. Okada, T. Noguchi and T. Itoh,
Proc. of 6th Intl. Conf. of TFT, St1, p.254, 2010.

“Simulation of dependency of photo current on intrinsic length in a-Si and c-Si thin film PIN photo sensor”
Sakamoto, J. D. Mugiraneza, T. Noguchi, T. Ohach,
Proc. of 6th Intl. Conf. of TFT, P.16, p.170, 2010.

“Activation behavior for doped Si films after laser or furnace annealing”
Noguchi, T. Suzuki,
Proc. of AWAD (IEICE), 110, p149-153, 2010.

“Thermal durability of poly-Si films on highly engineered glass for RTA process enabling advanced TFTs”
T. Itoh , J.D. Mugiraneza, T. Miyahira, A. Sakamoto, Y. Chen, T. Okada, T. Noguchi,
Proc. of SID’10 (The society for information displays: USA), 10,2010.

“Dependence of photo-current of Si PIN diodes on intrinsic length and on thickness od Si film”
Sakamoto, J.D. Mugiraneza, T. Noguchi, T. Ohachi,
Proc. of SID’10 (The society for information displays: USA), 10, p.219-222, 2010.

“Crystallization of sputtered Si films by blue laser diode annealing (BLDA) for photo-sensor application”
Jean de Dieu Mugiraneza, K. Shirai, T. Suzuki, T. Okada, T. Noguchi, H. Matsushima, T. Hashimoto, Y.,
Proc. of 17th IDW, 2010 (Fukuoka, Nihon).

“Dependence of Poly-Crystallization on Scanning Velocity of Blue-Multi-Laser-Diode Annealing (BLDA)”
K. Shirai, J.D. Mugiraneza, T. Suzuki, T. Okada, T. Noguchi, T. Matsushima, Y. Ogino, E. Sahota,
Proc. of IDW ’10, 10, 2010 (Fukuoka, Nihon).

“Influence of Grain Size on Gate Voltage Swing and ThresholdVoltage of Poly-Si Thin Film Transistors”
F. Oshiro, A. Sakamoto, T. Noguchi, T. Ohachi, G. Y. Moo, H. S. Choi,
Proc. of IDW ’10, 10, 2010 (Fukuoka, Nihon).

Domestic Conferences
“ブルーレーザアニール法によるSi薄膜の結晶化の熱解析”
白井克弥，岡田竜弥，野口 隆，荻野義明，佐保田英司,
第57回応用物理学会関係連合講演会 講演予稿集（2010 春 東海大学）, 18a-D-6, p.13, 2010（神奈川）.

“リモート水素プラズマ処理における石英基板表面温度の非接触測定”
筒井 啓喜, 岡田 竜弥, 東 清一郎, 広重 康夫, 松本 和也, 宮崎 誠一, 野口 隆,
第57回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集（2010 春 東海大学）, 20a-ZB-2, p.08, 2010（神奈川）.

“RTA 法によるB ドープSi 薄膜の電気的活性化と結晶性”
宮平知幸, 鈴木俊治, 野口隆,
第57回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集（2010 春 東海大学）, 18p-D-3, p.13, 2010（神奈川）.

“ブルーレーザアニール法によるSi 薄膜の結晶化の走査速度依存性”
白井克弥，ジョン デュムジラネザ，鈴木俊治，岡田竜弥，野口 隆，松島英紀，橋本隆夫，荻野義明，佐保田英司,
第71回応用物理学会学術講演会, 15p-ZD-12, p.13, 2010.

“ブルーレーザアニールしたスパッタSi膜の特性評価”
ジョン デュムジラネザ, 白井克弥，鈴木俊治，岡田竜弥，野口 隆，松島英紀，橋本隆夫，荻野義明，佐保田英司,
第71回応用物理学会学術講演会, 15p-ZD-10, p.13, 2010.

“ブルーレーザアニール法を用いたSi薄膜の結晶化における膜厚効果”
岡田竜弥, ジョン デュムジラネザ，白井 克弥, 鈴木俊治, 野口 隆，松島英紀，橋本隆夫，荻野義明，佐保田英司,
第71回応用物理学会学術講演会, 15p-ZD-11, p.13, 2010.

“BLDAによるスパッタSi薄膜の低抵抗化”
野口 隆，ジョン デュムジラネザ，岡田竜弥，白井克弥, 鈴木俊治，松島英紀，橋本隆夫，荻野義明，佐保田英司,
第71回応用物理学会学術講演会, 15p-ZD-13, p.13, 2010.

“Si薄膜素子構造と特性に関する研究（ＴＦＴと太陽光発電素子）”
野口　隆、大城　文明、坂本　明典、陳　訳、ジャンディユ ムギラネーザ、白井　克弥、大鉢　忠,
同志社大学界面現象研究センター2009年度研究報告書, 100-106.

“a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション”
坂本明典, 野口隆, 大鉢忠, 大城文明, ジョンデディウムジラネザ,
電子情報通信学会技術報告, SDM2010-5, p.19, 2010.

“Poly-Si TFTにおけるグレインサイズのS値としきい値に対する影響”
大城文明, 坂本明典, 野口隆, 大鉢忠,
電子情報通信学会技術報告, SDM2010-7, p.29, 2010.

“Characterization of Sputtered-Si Films for Photo-Sensor Diodes”
Jean de Dieu Mugiraneza, 坂本明典, 宮平和幸 ,野口隆, Ching-ping Chiu, Meng-Hsin Chen, Wen-Chang Yeh,
電子情報通信学会技術報告, SDM2010-8, p.33, 2010.

“フォトセンサダイオードのためのスパッタ法によるSi薄膜の特性”,
ムジラネザ　ジョンドゥジュ、宮平知幸, 坂本明典, 野口隆,　Ching-Ping Chiu, Meng-Hsin Chen, Wen-ChangYeh,
平成22年度4月　電子情報通信学会　九州支部　研究会, p.33-37, 2010.

口頭発表“Poly-Si TFTにおけるグレインサイズのS 値としきい値に対する影響”,
大城文明, 坂本明典, 野口隆, 大鉢忠,
電子情報通信学会研究会, 沖縄県青年会館, 2010.

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