Noguchi Laboratory

Research Achievements

2017

Journal Papers

“Low-temperature poly-Si TFTs of metal source and drain using blue-laser-diode annealing(BLDA)”,
K. Sugihara, K. Shimoda, T. Okada and T. Noguchi,
J. of Inf. Display, 18, No.4, 173-176 (2017).

“Appearance of the p-channel performance of poly-Si TFTs with a metal S/D　electrode using BLDA aiming for low-cost CMOS”,
Takuya Ashitomi, Taisei Harada, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Osamu Nishikata and Atsushi Ota,
J. of Inf. Display, 18, No.4,185-189 (2017).

International and Domestic Conferences

International Conferences

“Proposal of a-Si film Photo-Sensors Integrating with Poly-Si TFT System on Flexible Polymer”,
T. Higashizako, C. J. Koswaththage, T. Okada, T. Noguchi, T. Morimura, O. Nishikata, and A. Ota,
Proc. of IDW 17, FLXp1-11L, p.1577-1579, 2017 (Sendai, Japan).

“High Mobility InSb Film with Poly-Si TFTs Formed by Laser Annealing for Flexible Advanced System on Polymer”,
C. J. Koswaththage, T. Harada, F. Gakiya, T. Higashizako, Y. Ishiki, T. Okada and T. Noguchi,
Proc. of IDW 17, FLX3-4L, p.1515-1517, 2017 (Sendai, Japan).

“Reduction of Leakage Current for poly-Si TFTs with Metal Source/Drain by Dual Gate Structure”,
F. Gakiya, T. Harada, Y. Ishiki, T. Okada and T. Noguchi,
Proc. of IDW 17, AMDp2-1, p.447-449, 2017 (Sendai, Japan).

“Dependence of Poly-Si TFT Performance on Scanning Direction of BLDA (Blue Laser Diode Annealing)”,
Yuya Ishiki, Futa Gakiya, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi,
Proc. of IMID 17, P124, C27-4, 2017 (Busan, Korea).

“Sputtered InSb film after RTA for Magnetic Sensor Applications”,
Koswaththage Charith Jayanda, Tatsuyuki Higashizako, Tatsuya Okada and Takashi Noguchi,
Proc. of IMID 17, P158, C35-3, 2017 (Busan, Korea).

“Thermal Calculation of a-Si Films on Polyimide during Excimer Laser Annealing”,
Tatsuya Okada, Futa Gakiya, Yuya Ishiki, and Takashi Noguchi,
Proc. of IMID 17, P626, P2-55, 2017 (Busan, Korea).

Invited“Low Temperature Crystallization of Si films for TFTs by Laser Annealing on Flexible Panels”,
Takashi NOGUCHI and Tatsuya OKADA,
Proc. ITC2017 (TEXAS), p.15.

“Ultra-high Carrier Mobility InSb Film by Rapid Thermal Annealing for Advanced Sensor Applications on Glass”,
Charith Jayanada Koswaththage, Tatsuya Okada, Shinichi Taniguchi, Shokichi Yoshitome and Takashi Noguchi,
Proc. ITC2017 (TEXAS), p.31.

Invited“Effective annealing for Si film and for junction formation”,
T. Noguchi, T. Okada and Y. Chen,
Proc. of AWAD 2017, (Gyeongju, Korea), 2017, p.73.

Domestic Conferences

奨励賞受賞“ELA結晶化Si膜によるフレキシブル基板上のメタルソース・ドレイン構造TFT”,
原田 大成,　我喜屋 風太, 伊敷 優哉, 岡田 竜弥, 野口 隆, 野田 勘治, 諏訪 輝, 池上 浩,
第64回応用物理学会春季学術講演会　講演予稿集（2017　パシフィコ横浜）, 14a-304-4.

“青色半導体レーザを照射したInSb膜の電気的特性 Electrical characteristics of InSb films after BLDA”,
コスワッタゲー チャリット ジャヤナダ，東迫 達行，岡田 竜弥，野口 隆,
第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 (2017 福岡国際会議場), 5p-C21-11.

“ELA結晶化中のポリイミド基板上a-Si膜の温度解析Thermal Calculation of a-Si Films on Polyimide during Excimer Laser Annealing”,
岡田 竜弥, 我喜屋 風太, 伊敷 優哉, 野口 隆,
第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集 (2017 福岡国際会議場), 7a-C21-8.

“RTAを施した Si薄膜の固相結晶化”,
杉山 寿斗，C.J. Koswaththage，東迫 達行，岡田 竜弥，野口 隆,
電気学会九州支部沖縄支所講演会, 2017.

“TFTのソース・ドレイン領域形成を目指したPドープSi膜のFA後の結晶性・活性化評価”,
澤入 慶,我喜屋 風太 , 東迫 達行 , 伊敷 優哉 , 岡田 竜弥 , 野口 隆,
電気学会九州支部沖縄支所講演会, 2017.

“フレキシブル基板PI（Polyimide）上のa-Si 薄膜の結晶化の温度解析”,
増山 裕貴, 岡田 竜弥, 野口 隆,
電気学会九州支部沖縄支所講演会, 2017.

“TFTのソース・ドレイン領域形成のための塗布法によるSi薄膜の電気的活性化”,
石井 洸一，我喜屋 風太，東迫 達行，伊敷 優哉，岡田 竜弥，野口 隆,
電気学会九州支部沖縄支所講演会, 2017.

“ガラス上に堆積させた CVD S膜のレーザ結晶化”,
伊敷 優哉，我喜屋 風太， 東迫 達行 ，岡田 竜弥, 野口 隆,
電気学会九州支部沖縄支所講演会, 2017.

雑誌

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