Noguchi Laboratory

Research Achievements

2011

Journal Papers

“Crystallization Behavior of Sputtered Amorphous Silicon Films by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing”
K. Shirai, J.D. Mugiraneza, T. Suzuki, T. Okada, T. Noguchi, H. Matsumura, T. Hashimoto, Y. Ogino and E. Sahota,
Jap. J. Appl. Phys., 50, 021402, 2011.

“Influence of the Grain Size Deviation on the Characteristics of Poly-Si Thin Film Transistor”
Katsuya Shirai, Fumiaki Oshiro, Takashi Noguchi,
Journal of the Korean Physical Society, 59, 2, 298-303, 2011.

International and Domestic Conferences

International Conferences

“Deduction of TFT Parameters by Defects and Grains Model”
F. Oshiro,K. Shirai, T. Noguchi, T. Ohachi, H. M. Koo, H. S. Choi,
Proc. of AM-FPD 11, P-14, p.141, 2011 (Kyoto, Nihon).

“Thin Film Solar Cell on Stainless Steel”
B.J. Kim, H. Jin, C. M. Keum, S. J. Moon, T. Noguchi, B. S. Bae,
Proc. of AM-FPD 11, P-L4, p.217, 2011 (Kyoto, Nihon).

“Crystallization of Si thin film on flexible plastic substrate by using Blue-Multi-Diode-Laser Annealing”
J.D. Mugiraneza, K. Shirai, T. Suzuki, T. Okada, T. Noguchi, H. Matsushima, T. Hashimoto, Y. Ogino, E. Sahota,
Proc. ofAM-FPD 11, L-2, p.275, 2011 (Kyoto, Nihon).

INVITED“New LTPS technology based on crystallization results”
T. Noguchi,
Euro-Display’2011 (France).

“Efficient Activation of Impurity in Sputtered Si Films after Blue-Laser-Diode Annealing (BLDA)”
T. Noguchi, J. D. Mugiraneza, K. Shirai, T. Suzuki, T. Okada, H. Matsushima, T. Hashimoto, Y. Ogino, and E. Sahota,
Proc. of 7th International Thin-Film Transistor Conference 2011, 27 (Himeji, Nihon).

“Thickness dependence on Crystallization of Si Thin Films by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing”
T. Okada, J. D. Mugiraneza, K. Shirai, T. Suzuki, T. Noguchi, H. Matsushima, T. Hashimoto, Y. Ogino, and E. Sahota,
Proc. of 7th International Thin-Film Transistor Conference 2011, 82 (Himeji, Nihon).

“Proposal of High Conversion Efficiency Thin-Film Solar Cell”
Y. Chen, J. D. Mugiraneza, K. Shirai, T. Okada, T. Noguchi and T. Ohachi,
Proc. AWAD, 250, 2011.

“Effective Activation of the Sputtered P-doped Si Film for High Performance Poly-Si TFT”
T. Nishinohara, J. D. Mugiraneza, K, Shirai, T. Suzuki, T, Okada, T. Noguchi, T, Ohachi, H. Matsushima, T. Hashimoto, Y. Ogino, E, Sahota,
Proc. of IDW'11, p.1649, 2011 (Nagoya, Nihon).

“Temperature Dependence of Poly-Si TFT Characteristics Fabricated by Advanced Solid Phase”
HyoSeok Song, Katsuya Shirai, Takashi Noguchi, ByungSeong Bae, HyunMoKoo and HongSeok Choi,
Proc. of IDW'11, p.169, 2011 (Nagoya, Nihon).

“Effective Annealing of Si Films as a New LTPS”
Takashi NOGUCHI, Jean D. MUGIRANEZA, Toshiharu SUZUKI, Katsuya SHIRAI, Tatsuya OKADA, Hideki,
Proc. of IMID'11, p.286, 2011 (Seoul, Korea).

“Solid Phase Crystallization of P-type Amorphous Silicon”
Haifeng Jin, Beom Jun Kim, Chang Min Keum, Seung Jae Moon, Takashi Noguchi and Byung Seong Bae,
Proc. of IMID'11, p.881, 2011 (Seoul, Korea).

“Crystallization of 20-nm-thick Si Films Deposited by RF Sputtering Using Blue-Multi-Laser-Diode Annealing”
T. Okada, J. D. Mugiraneza, K. Shirai, T. Suzuki, T. Noguchi, H. Matsushima, T. Hashimoto, Y. Ogino and E. Sahota,
15th International Conference on Thin Film 2011(November 8-11, 2011), p.51, 2011 (Kyoto, Nihon).

“Electrical Characterization of SiN Films Deposited by Reactive RF Sputtering”
K. Yagi, T. Okada and T. Noguchi,
15th International Conference on Thin Film 2011(November 8-11, 2011), p.79, 2011 (Kyoto, Nihon).

Domestic Conferences

“Si薄膜の低温アニールとその薄膜トランジスタ他への応用”
野口隆，
ナノテク事業成果報告会〜第11回ナノテク講演会〜2日目（佐賀大学）.

“スパッタ製膜した20 nm 厚Si 膜のブルーレーザアニールによる結晶化”
岡田 竜弥, Mugiraneza J.D. 白井 克弥, 鈴木 俊治, 野口 隆, 松島 英紀, 橋本 隆夫, 荻野 義明, 佐保田 英司,
第 58 回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集（2011 春 神奈川工科大学）, 24a-P2-3, p.13, 2011（神奈川）.

“青色半導体レーザアニールによるPoly-Si 薄膜の結晶粒径制御”
松島 英紀， 橋本 隆夫， 荻野 義明， 佐保田 英司,Jean de Dieu Mugiraneza， 白井 克弥， 鈴木 俊治， 岡田 竜弥, 野口 隆,
第58 回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集（2011 春 神奈川工科大学）, 24a-P2-2, p.13. 2011（神奈川）.

招待　“次世代Si薄膜アニール技術としてのBLDA”
野口 隆,MUGIRANEZA J.D., 岡田 竜弥, 白井 克也, 鈴木 俊治, 松島 英紀, 橋本 隆夫, 荻野 義明, 佐保田 英治,
第58 回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集（2011 春 神奈川工科大学）， 24p-BK-4, p.153, 2011（神奈川）.

“急速熱処理中の基板内熱応力解析”
岡田竜弥, 田中敬介, 酒池耕平, 野口隆, 東清一郎,
応用物理学会2011秋 (山形).

“軟X線照射によるＢドーパントの新規低温活性化”
福岡琢人，部家 彰，松尾直人，神田一浩，野口 隆,
第72回 応用物理学会学術講演会, 2011.

“Si薄膜の結晶化”
野口隆，
附置研究所間アライアンス「次世代エレクトロニクス」グループ（G1）分科会（琉球大学ジョイントシンポジウム），（沖縄コンベンションセンター，2011年5月11-13日），p.21，2011（沖縄）.

“青色レーザアニールを用いたSi結晶化における膜厚依存性”
岡田竜弥，J. D. Mugiraneza，白井克弥，鈴木俊治，野口隆，松島英紀，橋本隆夫，荻野義明，佐保田栄司，
附置研究所間アライアンス「次世代エレクトロニクス」グループ（G1）分科会（琉球大学ジョイントシンポジウム），（沖縄コンベンションセンター，2011年5月11-13日），p.81，2011（沖縄）.

“Si TFTの特性変動”
白井克弥，大城文明，野口隆，
附置研究所間アライアンス「次世代エレクトロニクス」グループ（G1）分科会（琉球大学ジョイントシンポジウム），（沖縄コンベンションセンター，2011年5月11-13日），p.82，2011（沖縄）.

“Poly-Si TFTに関する研究”
向智之，杉原弘也，知念偉久篤，Mugiraneza. J. D. ，白井克弥，岡田竜弥，野口隆，
平成23琉大工学部・沖縄高専専攻科学生研究発表会（沖縄工業高等専門学校，2011年2月1日），p.14，2011（沖縄）．

“TFT高性能化のためのSi薄膜結晶化と活性化に関する研究”
西ノ原拓磨，知念怜，J.D. Mugiraneza, 白井克弥，岡田竜弥，野口隆，大鉢忠，
平成23琉大工学部・沖縄高専専攻科学生研究発表会（沖縄工業高等専門学校，2011年2月1日），p.15，2011（沖縄）．

“RFスパッタ法により室温製膜SiO₂およびSiN薄膜の熱処理前後の電気特性評価”
屋宜佳佑，岡田竜弥，野口隆，
平成23琉大工学部・沖縄高専専攻科学生研究発表会（沖縄工業高等専門学校，2011年2月1日），p.16，2011（沖縄）．

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